Nová energie pohání růst, globální/čínský desetiletý CAGR dosahuje 13 %/15 %

Výkonové polovodiče jsou jádrem konverze výkonu a řízení obvodů v elektronických zařízeních. Jedná se o polovodiče, které mohou podporovat vysoké napětí a vysoký proud. Používají se hlavně ke změně napětí, frekvence a konverze výkonu (převod stejnosměrného proudu (DC) na střídavý proud (AC), převod střídavého proudu (AC) na stejnosměrný proud (DC)).

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Jedná se o kompozitní plně řízený výkonový polovodič složený z MOS a BJT. Má dvě výhody vysokého vstupního odporu MOS a nízkého otvíjecího napětí BJT, nízkého hnacího výkonu a nízkého napětí nasycení. Je vhodný pro vysokonapěťová a vysokoproudá pole a je procesorem výkonových elektronických zařízení.

Pokud jde o napěťovou úroveň, nízkonapěťové IGBT pod 600V se používají hlavně v oblasti spotřební elektroniky, středněnapěťové IGBT 600V ~ 1200V se používají hlavně v nových energetických vozidlech, fotovoltaice, domácích spotřebičích, průmyslových (svařovacích strojích, UPS) polích, ultra vysokém napětí nad 1700V IGBT se používají hlavně v železniční dopravě, větrné energii a inteligentních sítích.

Rozděleno od navazujících aplikací, podle údajů Yole, velikost trhu průmyslových, domácností, elektrických vozidel, železniční dopravy, fotovoltaiky a dalších průmyslových odvětví v roce 2020 bude představovat 31%, 24%, 9%, 6% a 4%.

Podle našich odhadů odhadujeme, že globální trh IGBT dosáhne v roce 2025 95,4 miliardy juanů s CAGR 16% od roku 2020 do roku 2025 a čínský trh IGBT dosáhne 45,8 miliardy juanů a CAGR 21% od roku 2020 do roku 2025. V roce 2030 dosáhne globální trh IGBT 160,9 miliardy juanů a CAGR dosáhne 13% v letech 2020-2030. Čínský trh IGBT dosáhne 73,2 miliardy juanů a CAGR dosáhne 15% v letech 2020-2030. Mezi nimi přispěly k největšímu přírůstku nová energetická vozidla, fotovoltaika a skladování energie.